« Back

Роснано вложит до 3,8 млрд рублей в СП с Crocus Technology по выпуску энергонезависимых микросхем

ОАО "Роснано" заключило с франко-американской Crocus Technology инвестиционное соглашение о создании в РФ производства микросхем магниторезистивной памяти MRAM.

"Роснано" намерено инвестировать в проект до 3,8 млрд рублей (около $140 млн), говорится в сообщении компании.

Общий объем сделки составляет $300 млн. В рамках соглашения "Роснано" и Crocus создают компанию Crocus Nano Electronics (CNE), которая построит в России завод по производству памяти MRAM средней и высокой плотности с проектными нормами 90 и 65 нанометров, разработанной Crocus.

На первом этапе "Роснано" и соинвесторы - венчурные фонды CDC Innovation, Ventech, IDInvest Partners, NanoDimension, и Sofinnova Ventures - вложат $55 млн в уставный капитал Crocus. Еще около $125 млн участники проекта проинвестируют в строительство завода. На последующих этапах в проект планируется инвестировать еще $120 млн, которые пойдут на расширение производства и, в перспективе - совершенствование технологического процесса до норм 45 нанометров.

Как ранее сообщал "Интерфаксу" источник в микроэлектронной отрасли, совет директоров "Роснано" одобрил проект с Crocus Technology в апреле. Технология MRAM пока не получила широкого распространения, и продукция будущего СП, скорее всего, будет преимущественно направляться на экспорт, предполагал источник.

По его словам, ранее Crocus Technology вела переговоры с "Ситрониксом" (РТС: SITR) (SITR), у которого уже есть СП с "Роснано" по выпуску чипов 90 нанометров, но тот в итоге решил не участвовать в проекте. Переговоры также велись с "Ангстремом", говорил собеседник "Интерфакса".

"Инвестиции "Роснано" отражают стремление компании преодолеть международные барьеры и стимулировать развитие нанотехнологической индустрии", - заявил глава совета директоров Crocus Technology Бертран Камбу, процитированный в сообщении. "Мы рады, что "Роснано" выбрала для своих инвестиций технологию Crocus и активно участвует в создании уникального российского производства, ориентированного на глобальный рынок", - отметил он.

CNE наладит первое в мире производство устройств MRAM - на стандартные 300-миллиметровые пластины будут наноситься дополнительные слои для создания устройств MRAM.

В ближайшие 2 года CNE планирует запустить завод, способный выпускать до 500 пластин в неделю. На втором этапе инвестиций его мощность будет увеличена до 1000 пластин. Также планируется создание в России образовательного центра и центров разработки и подготовки к производству новой компьютерной памяти и, в дальнейшем, систем на кристалле (system-on-chip - SOC). На первом этапе Crocus инвестирует более $5 млн в российские исследовательские организации.

В России и странах СНГ маркетинг и продажу производимых устройств будет осуществлять CNE, в других странах - Crocus. Ключевыми рынками для производимой продукции станут системы хранения данных, мобильные и сетевые устройства, а также сервисы по развитию облачных вычислений.

Память MRAM также может использоваться в смарт-картах, сетевых коммутаторах, устройствах биометрической аутентификации, коммуникационных устройствах малого радиуса действия (near-field communications - NFC) и защищенной памяти.

"Роснано" оценивает потенциальный объем мирового рынка для памяти MRAM в $40 млрд в год.

MRAM (magnetoresistive random access memory, магниторезистивная память с произвольным доступом) - технология энергонезависимой компьютерной памяти, которая позволяет сохранять данные даже при отключении питания. Создание миниатюрных чипов MRAM во многом стало возможным благодаря открытию в 1988 году эффекта гигантского магнитосопротивления, за которое в 2007 физикам Альберту Феру и Петеру Грюнбергу была присуждена Нобелевская премия. В середине 1990-х годов несколько компаний начали разработки MRAM, а Motorola в 2005 году выпустила первый чип емкостью один мегабит, созданный по нормам 180 нанометров. Однако, только Crocus на текущий момент создала действующий чип 130 нанометров и продемонстрировала возможность производства магниторезистивной памяти 90 нанометров, отмечается в сообщении.

Интерфакс